Al/Si3N4/p-Si aygıtının C-V characteristikleri üzerine metal ile yarıiletken kontak arasındaki yalıtkan tabakanın kalınlık etkisi

Authors : İkram ORAK, Adem KOÇYİĞİT

Pages : 536-542

View : 11 | Download : 5

Publication Date : 2017-10-20

Article Type : Research Paper

Abstract :v\:* {behavior:urlinsert ignore into journalissuearticles values(#default#VML);;} o\:* {behavior:urlinsert ignore into journalissuearticles values(#default#VML);;} w\:* {behavior:urlinsert ignore into journalissuearticles values(#default#VML);;} .shape {behavior:urlinsert ignore into journalissuearticles values(#default#VML);;} Normal 0 false false false TR X-NONE X-NONE /* Style Definitions */ table.MsoNormalTable {mso-style-name:`Normal Tablo`; mso-tstyle-rowband-size:0; mso-tstyle-colband-size:0; mso-style-noshow:yes; mso-style-priority:99; mso-style-parent:``; mso-padding-alt:0cm 5.4pt 0cm 5.4pt; mso-para-margin-top:0cm; mso-para-margin-right:0cm; mso-para-margin-bottom:10.0pt; mso-para-margin-left:0cm; line-height:115%; mso-pagination:widow-orphan; font-size:11.0pt; font-family:`Calibri`,sans-serif; mso-ascii-font-family:Calibri; mso-ascii-theme-font:minor-latin; mso-hansi-font-family:Calibri; mso-hansi-theme-font:minor-latin; mso-bidi-font-family:`Times New Roman`; mso-bidi-theme-font:minor-bidi; mso-ansi-language:TR;} Metal-Yalıtkan-Yarıiletken insert ignore into journalissuearticles values(MIS); yapılar elektronik ve optoelektronikteki iyi uygulamalarından büyük ilgiye sahiptirler. Bu yapıların önemi tabaka depolama özelliği, kapasitans etkisi ve yüksek dileketrik sabitlerine sahip olmalarına dayandırılabilir. Bu yüzden Si 3 N 4 tabakalı iki adet numune plazma destekli kimyasal buhar biriktirme insert ignore into journalissuearticles values(PECVD); yöntemiyle birinin kalınlığı 5 nm diğerinin kalınlığı 50 nm olacak şekilde p-tip Si üzerine büyütüldü. Si 3 N 4 tabakasının kalınlığı bir elipsometreyle kontrol edildi. Al/Si 3 N 4 /p tip Si kontağın üzerine Si 3 N 4 tabakasının kalınlık etkisi 10 kHz-1 MHz frekans değerleri için -5 V’tan +5 V voltaj aralığında yapıların kapasitans-voltaj insert ignore into journalissuearticles values(C–V); ve iletkenlik-voltaj insert ignore into journalissuearticles values(G–V); karakteristikleri ile oda sıcaklığında   araştırıldı. Farklı kalınlığa sahip kontakların her bir durumda kapasitans değerlerinin artan frekansla azaldığı ve iletkenlik değerlerinin arttığı tespit edildi. Ara yüzey durumları insert ignore into journalissuearticles values(Nss ); ve Seri direnç insert ignore into journalissuearticles values(Rs ); etkileri, bariyer yüksekliği insert ignore into journalissuearticles values( Normal 0 false false false TR X-NONE X-NONE /* Style Definitions */ table.MsoNormalTable {mso-style-name:`Normal Tablo`; mso-tstyle-rowband-size:0; mso-tstyle-colband-size:0; mso-style-noshow:yes; mso-style-priority:99; mso-style-parent:``; mso-padding-alt:0cm 5.4pt 0cm 5.4pt; mso-para-margin-top:0cm; mso-para-margin-right:0cm; mso-para-margin-bottom:10.0pt; mso-para-margin-left:0cm; line-height:115%; mso-pagination:widow-orphan; font-size:11.0pt; font-family:`Calibri`,sans-serif; mso-ascii-font-family:Calibri; mso-ascii-theme-font:minor-latin; mso-hansi-font-family:Calibri; mso-hansi-theme-font:minor-latin; mso-bidi-font-family:`Times New Roman`; mso-bidi-theme-font:minor-bidi; mso-ansi-language:TR;} Φb ); ve taşıyıcı yoğunluğu insert ignore into journalissuearticles values(Na ); kapasitans-voltaj insert ignore into journalissuearticles values(C–V); ve iletkenlik-voltaj insert ignore into journalissuearticles values(G–V); karakteristikleri karakterizasyonlardan elde edildi ve açıklandı. Ayrıca 5 nm ve 50 nm kalınlık değerindeki tabakalar için 500 kHz frekansta çift yönlü C-V ve G-V karakterizasyonlarından elde edildi ve kıyaslandı. Sonuç olarak, Si 3 N 4 tabakasının kalınlık değişiminin kontakların özelliklerini etkilediği görüldü ve bu kontakların Memrezistör yapısına sahiptirler ve gelecekte hafıza aygıtları için kullanılabilir ve geliştirilebilirler.
Keywords : Al Si3N4 p Si, Schottky, Kapasitans özelliği, MIS, Kalınlık etkisi