- Sakarya Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Dergisi
- Volume:21 Issue:6
- A first-principles investigation on a Half-Heusler liscpb semiconductor
A first-principles investigation on a Half-Heusler liscpb semiconductor
Authors : Yesim Mogulkoc, Yasemin Ciftci
Pages : 1278-1285
Doi:10.16984/saufenbilder.287816
View : 16 | Download : 6
Publication Date : 2017-12-01
Article Type : Research Paper
Abstract :Bir ilk-ilkesel çalışması olan yarı-Heusler insert ignore into journalissuearticles values(HH); LiScPb yarıiletkeninin yapısal, elastik, elektronik, titreşimsel, termodinamik ve optik özellikleri yoğunluk fonksiyoneli teorisine dayanan düzlem dalga-pseudo potansiyel tekniği kullanılarak rapor edilmiştir. Elastik özellikler ikinci mertebeden elastik sabitleri kullanılarak sunulmuştur. Elektronik bant yapısı hesaplamaları kısmi durum yoğunlukları ile elde edilmiştir. Yarı-Heusler insert ignore into journalissuearticles values(HH); LiScPb yarıiletkeninin optiksel özellikleri araştırılmıştır ve bu çalışmada kırılma indisi, sönüm katsayısı, yansıma ve kayıp fonksiyonu dielektrik fonksiyonları kullanılarak belirlenmiştir. Yarı-Heusler insert ignore into journalissuearticles values(HH); LiScPb yarıiletkeninin kararlılığını değerlendirmek için fonon hesaplamaları dikkate alınmıştır. Ayrıca, sistemin serbest enerjisi, entropisi ve ısı sıcaklığı artan sıcaklık değerleri altında araştırılmıştır.Keywords : İlk ilkesel, yarı Heusler, elastik özellikler, elektronik özellikler, LiScPb