Investigation of Optoelectronic Properties of Organic Semiconductor Tetracyaoquinodimethane Based Heterostructures

Authors : Burcu AVCI, Ali Akbar HUSSAINI, Mehmet Okan ERDAL, Murat YILDIRIM

Pages : 203-213

Doi:10.35238/sufefd.999508

View : 14 | Download : 5

Publication Date : 2021-10-30

Article Type : Research Paper

Abstract :Son yıllarda bilim insanları metal-yarıiletken heteroeklemlerinin dayanıklılığını arttırmak maksadıyla metal ile yarıiletken arasına metal oksit, yalıtkan veya da polimer tabakalar eklemektedirler. Bu malzemeler amaca göre değişiklik göstermektedir. Bu çalışma kapsamında, fotodiyot uygulamaları için metal ve yarı iletken arasında ara yüzey olarak grafen nanoribbon insert ignore into journalissuearticles values(GNR); ve 7,7,8,8 Tetrasiyaokuinodimetan-insert ignore into journalissuearticles values(Tetracyanoquinodimethane TCNQ, C12H4N4); katmanı kullanılmıştır. TCNQ katmanı, cihazın arayüzünde daha fazla elektron toplar ve çıkarır ve organik güneş pillerinde elektron alıcı malzeme olarak kullanılır. Daha sonra fiziksel buhar biriktirme yöntemiyle Al/p-Si/Al, Al/p-Si/TCNQ/Al ve Al/p-Si/TCNQ:GNR/Al heteroeklemleri elde edilmiştir. Elektriksel karakterizasyon kapsamında Akım-voltaj ölçümleri hem karanlık ortamda hemde farklı aydınlatma değerlerinde gerçekleştirilmiştir. Akım-voltaj karakteristiklerinden, idealite faktörü, bariyer yüksekliği, seri direnç ve yükselme zamanı gibi elektronik parametreler hesaplanmıştır. Sonuç olarak, TCNQ ve TCNQ:GNR katmanlarının kalite üzerinde büyük bir etkisi olduğu ve optoelektronik uygulamalar için oldukça uygun malzemeler olarak kabul edilebilebilir.
Keywords : Al p Si TCNQ GNR Al, Heteroeklem, Optoelektonik, Fotodiyot