- Süleyman Demirel Üniversitesi Fen Edebiyat Fakültesi Dergisi
- Volume:12 Issue:1
- The Structural and Electronic Properties of TlGa1-xInxTe2 (x=0.00, 0.25, 0.50, 0.75) Alloys
The Structural and Electronic Properties of TlGa1-xInxTe2 (x=0.00, 0.25, 0.50, 0.75) Alloys
Authors : İsmail YÜCEL, Seyfettin ÇAKMAK
Pages : 30-40
View : 16 | Download : 10
Publication Date : 2017-07-27
Article Type : Research Paper
Abstract :Bu çalışmada , yoğunluk fonksiyonel teorisi dahilinde lineer genişletilmiş düzlem dalga metodu kullanılarak TlGa 1-x In x Te 2 alaşımlarının yapısal ve elektronik özellikleri incelendi. TlGa 1-x In x Te 2 insert ignore into journalissuearticles values(x=0.25, 0.50, 0.75); alaşımları, TlInTe 2 ve TlGaTe 2 alaşımları gibi tetragonal yapıya sahiptir. Alaşımların Kristal yapıları P1 insert ignore into journalissuearticles values( ); uzay grubu kullanılarak elde edildi. Yapısal hesaplamalardan, birim hücre içerisindeki In konsantrasyonunun artışı ile örgü parametresi a ve birim hücre hacminin arttığını tespit edildi. Incelenen alaşımların, elektronik band yapı ve durum yoğunluğu hesaplamalarından, yarıiletken özellik sergilediğini bulundu. Ayrıca, alaşımların yasak band enerjisinin x konsantrasyonuna bağlı olarak değiştiği tespit edildi. Hesaplanan yasak band enerjileri alaşımların dar band aralıklı yarıiletken olduğunu göstermektedir. Bu çalışmanın bulduları dörtlü TlGa 1-x In x Te 2 insert ignore into journalissuearticles values(x=0.25, 0.50, 0.75); alaşımları ile ilgilenen araştırmacılar için iyi bir referans çalışma olacaktır.Keywords : DFT metot, Yapısal özellikler, Elektronik özellikler