- Uludağ Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Dergisi
- Volume:22 Issue:2
- TERMİYONİK VAKUM ARK İLE ÜRETİLEN InGaAsN İNCE FİLMLERİN BAZI FİZİKSEL ÖZELLİKLERİ
TERMİYONİK VAKUM ARK İLE ÜRETİLEN InGaAsN İNCE FİLMLERİN BAZI FİZİKSEL ÖZELLİKLERİ
Authors : Şadan KORKMAZ
Pages : 121-128
Doi:10.17482/uumfd.336442
View : 15 | Download : 8
Publication Date : 2017-08-29
Article Type : Research Paper
Abstract :Bu çalışmada InGaAsN ince filmler ilk defa farklı bir teknik olan Termiyonik Vakum Ark insert ignore into journalissuearticles values(TVA); tekniği ile üretilmiştir. InGaAsN ince filmler üretilirken TVA üretim parametreleri belirlenmiştir. İnce filmler üç farklı alt taş üzerine gerçekleştirilmiştir. Bunlar cam, Si ve Polietilen tereftalat insert ignore into journalissuearticles values(PET); alt taş malzemedir. Üretilen ince filmlerin XRD analizleri ile kristal yapıları aydınlatılmaya çalışılmıştır. Yüzey bileşenleri için EDX analizi kullanılmıştır. Filmlerin yüzey oluşumları atomik kuvvet mikroskobu ile görüntülendi. UV-Vis spektrofotometresi ile elde edilen soğurma değerlerinden ise yapıların yasak enerji aralıkları değerleri incelenmiştir. Sonuçlara göre, farklı alt taşlar üzerine farklı atomik bileşimler elde edilmiştir.Keywords : InGAsN, Yüzey özellikleri, Optik özellikler, İnce film