The Impact of the Different Voltages and Frequencies on Resistivity of the TiO2-based Memristors with 3D Observation in MATLAB

Authors : Niloufar RAJABİYOUN

Pages : 260-264

Doi:10.31590/ejosat.769921

View : 12 | Download : 9

Publication Date : 2020-12-31

Article Type : Research Paper

Abstract :Memristör, yaklaşık 40 yıl önce Profesör Leon Chua tarafından teorik olarak Elektronikte keşfedilen dördüncü temel unsurdur ve elektronik dünyasında mevcut diğer üç unsurun yanısıra (direnç, kapasitör ve indüktör) tanıtıldı. Ancak yakın zamana kadar, bu unsurun fiziksel bir örneğinin yapılması ve geliştirmesi henüz gerçekleşmemişti. Son olarak, 2008'de HP, öngörülebilir bellek davranışı ve histerezisi olan nanometre boyutlu bir TiO2 yapısı ortaya koymuştur. Bu makalede, memrisörün genel özellikleri ve yapısı tanıtıldıktan sonra, HP tarafından akım veya gerilim kontrol kapasitesine sahip titanyum dioksit memristörü için doğrusal olmayan iyon sapmasına sahip bir 3D MATLAB modeli sunulmaktadır. Bu belleğin özellikleri için model parametreleri ayarlanarak, bazı simülasyonlar gerçekleştirilmiştir ve sonuçlar görüntülenmiştir.
Keywords : Memristör, TiO2, 3 Boyutlu Matlab simulatörü