Al/Organometalik Kompleks/p-Si Yapısının Elektriksel Özelliklerinin İncelenmesi

Authors : Hülya DOĞAN

Pages : 64-73

Doi:10.31590/ejosat.1196948

View : 13 | Download : 11

Publication Date : 2023-01-31

Article Type : Research Paper

Abstract :Organometalik kompleksi insert ignore into journalissuearticles values(OMcomplex); arayüzey tabakası olarak p-Si üzerinde ince bir film olarak biriktirmek için döndürmeli kaplama kullanıldı. Al/OMcomplex/p-Si Schottky diyot yapısı gerekli işlemlerden sonra oda sıcaklığında elde edilmiştir. Arayüz katmanlı Schottky diyotun Akım-Gerilim insert ignore into journalissuearticles values(I-V); ve Kapasitans-Gerilim insert ignore into journalissuearticles values(C-V); ölçümleri diyotun karakteristik parametrelerini hesaplamak için kullanıldı. I-V okumalarından bariyer yüksekliği insert ignore into journalissuearticles values(Φb0); ve idealite faktörü insert ignore into journalissuearticles values(n); hesaplandı ve sonuçlar sırasıyla 0.797 eV ve 1.615 oldu. Seri direnç insert ignore into journalissuearticles values(Rs);, Cheung ve Norde fonksiyonları ile bulunarak karşılaştırıldı. Ayrıca 10 kHz ile 1 MHz frekans aralığında yapılan C-V ölçümlerinden doping yoğunluğu insert ignore into journalissuearticles values(Na); değerleri ve engel yüksekliği bulunmuş ve I-V ve C-V gözlemlerinden ulaşılan Φb0 değerleri karşılaştırılmıştır. I-V ve C-V den elde edilen engel yüksekliği değerlerinin farklılığı, engel yüksekliğinin homojen olmayışı, arayüzey tabakasının varlığı, arayüzey tabakasının kalınlığı ve seri direnç etkilerinin yanı sıra her iki yöntemin farklı tabiatına atfedilmiştir.
Keywords : Organometalik kompleks, Schottky Diyot, Engel yüksekliği