1,3-Bis-(p-İminobenzoik Asit) İndan Langmuir-Blodgett (LB) Filmlerin Elektriksel Özellikleri

Authors : Hüseyin SARI, Tayfun UZUNOĞLU, Onur TURHAN

Pages : 46-53

View : 13 | Download : 4

Publication Date : 2006-06-01

Article Type : Research Paper

Abstract :1,3-bis-(p-iminobenzoik asit) indan olarak bilinen organik molekül, katı yüzey üzerinde Langmuir-Blodgett (LB) film tekniği ile ilk kez büyütüldü. Filmlerin katı yüzey üzerine transferlerinin gerçekleştiğini doğrulamak için büyütme sırasında kuartz kristal mikrobalans yöntemi, büyütme sonrasında da UV-görünür soğurma spektrumlarından yararlanıldı. Filmlerin elektriksel özellikleri, metal/LB-film/metal şeklinde üretilen yapılarda oda sıcaklığındaki I-V ölçülerek incelendi. I-V eğrilerinin Schottky mekanizmasına uyduğu kabul edilerek LB film/metal engel yüksekliği 1,0 eV olarak hesaplandı
Keywords : Langmuir Blodgett LB ince film, 1, 3 bis p iminobenzoik asit indan, kuartz kristal mikrobalans