Düşük Sıcaklıklarda Au/Organometalik Kompleks/n-Si MIS Yapısının Elektriksel Özelliklerinin İncelenmesi

Authors : Cihat ÖZAYDIN

Pages : 1190-1202

View : 12 | Download : 7

Publication Date : 2018-12-30

Article Type : Research Paper

Abstract :Geniş bir sıcaklık aralığında (100-300 K) metal-arayüzey tabaka-yarıiletken (MIS) Schottky diyotunun elektriksel özellikleri akım-gerilimölçümleri ile incelenmiştir.MIS Schottky diyotu, 300 K ve 100 K'de sırasıyla 2.28 ve 4.13'e eşit idealite faktörleri (n) ile birlikte ideal olmayan akım-gerilim davranışı göstermiştir.Diyotun deneysel engel yüksekliği değerleri, 100 K'da 0.32 eV, 300 K'da 0.76 eV olarak belirlenmiştir. Azalan sıcaklıkla birliktedeneysel engel yüksekliğinde (BH,Φ
Keywords : Organometalik kompleks, MIS yapı, , Akım Gerilim, Düşük sıcaklık, Gauss dağılımı