InGaAsP/InP YAPISININ YAPISAL, MORFOLOJİK VE ELEKTRİKSEL KARAKTERİZASYONLARI

Authors : Barış KINACI

Pages : 159-163

View : 12 | Download : 10

Publication Date : 2016-09-30

Article Type : Other Papers

Abstract :Bu çalışmada, InGaAsP tabakası InP alttaş üzerine Moleküler Demet Epitaksi (MBE) tekniği kullanılarak büyütüldü. InGaAsP/InP yapısının yapısal ve morfolojik özellikleri yüksek çözünürlüklü x‒ray kırınımı (HR‒XRD) ve atomik kuvvet mikroskobu (AFM) ölçümleri ile incelendi. Ayrıca, InGaAsP/InP yapısının deneysel ileri ve ters beslem akım‒voltaj (I‒V) karakteristiği oda sıcaklığında incelendi. İdealite faktörü, bariyer yüksekliği ve seri direnç gibi temel elektriksel parametreler ileri beslem I‒V karakteristiğinden belirlendi.
Keywords : InGaAsP InP yapısı, MBE tekniği, HR‒XRD, AFM, I‒V karakteristik