The Electrical Characterization Effect of Insulator Layer between Semiconductor and Metal

Authors : İkram ORAK, Adem KOÇYİĞİT

Pages : 57-67

View : 9 | Download : 7

Publication Date : 2016-09-30

Article Type : Research Paper

Abstract :Metal-yalıtkan-yarıiletken (MIS) aygıtlar elektronik ve optoelektronikteki önemlerinden dolayı çalışılmaktadır. Bu önem aygıtların yüksek dielektrik sabitine, depolama tabakası ve kapasitans özelliklerine sahip olmalarından kaynaklanmaktadır. Bu yüzden Si 3 N 4 tabakası p-tipi Si üzerine PECVD tekniği kullanılarak büyütülmüş, kalınlığı elipsometre ile 5 nm olarak ölçülmüştür ve Al kontak sayesinde MIS yapısı elde edilmiştir. Elde edilen Al/p-Si yapısı üzerine Si 3 N 4 tabakasının etkisi araştırılmıştır. Bunun için aygıtın elektrik karakterizasyonları ileri ve ters beslem I-V , C–V ve G-V ölçümleriyle yapılmış ve yalıtkan Si 3 N 4 tabakanın diyot özelliklerini oldukça etkilediği görülmüştür. Ara yüzey halleri ( N ss ), seri direnç ( R s ) ve diğer bazı elektriksel parametrelerin aygıt üzerine etkileri I-V ve C–V ölçümlerinden hesaplanarak araştırılmıştır. C-V ölçümlerinden aygıtın memristör bir yapı gibi davrandığı tespit edilmiştir   
Keywords : Al Si 3N4 p Si, kapasitör özelliği, metal yalıtkan yarıiletken yapılar, Schottky diyot