The Effect of Interlayer Thickness on Electrical Characteristics of Al/p-Si Schottky Barrier Diodes with Bi4Ti3O12 Interlayer

Authors : Mert YILDIRIM

Pages : 406-411

View : 15 | Download : 10

Publication Date : 2016-06-01

Article Type : Research Paper

Abstract :Kurşun içermeyen bizmut titanat Bi4Ti3O12, yani BiT kendisini çeşitli elektronik cihaz uygulamalarına uygun kılan özgün özellikleri nedeniyle araştırmacılarının ilgisini çekmektedir. Dolayısıyla, bu çalışma BiT arayüzeye sahip Schottky engel diyotlarının kalınlığa bağlı elektriksel özellikleri üzerine odaklanmıştır. Frekansa bağlı admitans ölçümleri Schottky engel diyotların elektriksel özelliklerinin BiT arayüzeyin kalınlığı tarafından etkilendiğini ortaya koymuştur. Düşük frekanslarda arayüzey durumlarından dolayı kapasite ve iletkenlik değerlerinde yüksek şiddette bir artış gözlenmiştir. Ayrıca, kapasite-gerilim C-V ve iletkenlik-gerilim G/ω-V eğrilerinde pikler gözlenmiş ve bu piklerin varlığı seri direnç ve arayüzey durumlarının neden olduğu etkilerle açıklanmıştır. BiT arayüzeyin kalınlığının artırılmasıyla birlikte arayüzey durumlarının arttığı, seri direncin ise azaldığı tespit edilmiştir. Dahası, Schottky engel diyotları için alıcı atomların katkılama yoğunluğu, difüzyon potansiyeli, görüntü kuvveti engel alçalması ve engel yüksekliği gibi temel elektriksel parametreler C-2-V eğrilerinden elde edilmiş ve BiT arayüzeyin kalınlığının bu parametrelerde değişikliğe yol açtığı tespit edilmiştir
Keywords : Admitans spektroskopisi, Bizmut titanat, Elektriksel özellikler, Schottky engel diyotu